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Verfügbare Ersatzkomponenten:
Parametrisches Äquivalent
Parametrisches Äquivalent
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MSJP20N65-BP | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 353-MSJP20N65-BP-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | MSJP20N65-BP |
Beschreibung | MOSFET N-CH TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 36 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB (H) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 180mOhm bei 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 39 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1724 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 151W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB (H) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
0 auf Lager
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 5,38000 | € 5,38 |
| 50 | € 2,85300 | € 142,65 |
| 100 | € 2,60880 | € 260,88 |
| 500 | € 2,18134 | € 1 090,67 |
| 1 000 | € 2,12384 | € 2 123,84 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 5,38000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 6,56360 |
Italien