TO-220-3
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TO-220-3
Micro Commercial Components Corporate Video

MSJP11N65-BP

DigiKey-Teilenr.
353-MSJP11N65-BP-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MSJP11N65-BP
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 78W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB (H)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
901 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB (H)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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100€ 0,98890€ 98,89
500€ 0,79456€ 397,28
1 000€ 0,73212€ 732,12
2 000€ 0,67961€ 1 359,22
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