N-Kanal 500 V 16 A (Tc) 59,5W (Tc) Durchkontaktierung ITO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TSM16ND50CI C0G

DigiKey-Teilenr.
1801-TSM16ND50CIC0G-ND
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller-Teilenummer
TSM16ND50CI C0G
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 16A ITO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 16 A (Tc) 59,5W (Tc) Durchkontaktierung ITO-220
EDA/CAD-Modelle
TSM16ND50CI C0G Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Taiwan Semiconductor Corporation
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
16 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
350mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2551 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
59,5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
ITO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 Full Pack, isolierte Fahne
Fragen und Antworten zum Produkt

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Obsolet
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