Name: IXTY18P10T
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY18P10T-ND
Price: 5.2216 EUR
Availability: InStock

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IXTY18P10T
DigiKey-Teilenr.	238-IXTY18P10T-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTY18P10T
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 18 A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	TrenchP™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	18 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	120mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2100 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IXTY18

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70	€ 2,11714	€ 148,20
140	€ 1,93436	€ 270,81
560	€ 1,65127	€ 924,71
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