N-Kanal 200 V 220 A (Tc) 800W (Tc) Oberflächenmontage TO-268HV (IXTT)
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IXTT220N20X4HV

DigiKey-Teilenr.
238-IXTT220N20X4HV-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTT220N20X4HV
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO268HV
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 220 A (Tc) 800W (Tc) Oberflächenmontage TO-268HV (IXTT)
Datenblatt
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Herst.
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Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,5mOhm bei 110A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
157 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
12300 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
800W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-268HV (IXTT)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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