N-Kanal 100 V 110 A (Tc) 600W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
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IXTT110N10L2

DigiKey-Teilenr.
IXTT110N10L2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTT110N10L2
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers
37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 110 A (Tc) 600W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
18mOhm bei 55A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
10500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-268AA
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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