Name: IXTP6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP6N100D2-ND
Price: 12.7002 EUR
Availability: InStock

N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 6 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3

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IXTP6N100D2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTP6N100D2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP6N100D2
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 6 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 95 nC @ 5 V
Herst. IXYS	Vgs (Max.) ±20V
Serie Depletion	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2650 pF @ 25 V
Verpackung Stange	Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal, Verarmungsmodus	Montagetyp Durchkontaktierung
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc)	Basis-Produktnummer IXTP6
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,2Ohm bei 3A, 0V

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50	€ 5,85780	€ 292,89
100	€ 5,41950	€ 541,95
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