Name: IXTP3N120
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP3N120-ND
Price: 11.5656 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 3 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP3N120
DigiKey-Teilenr.	238-IXTP3N120-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP3N120
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 3 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 42 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1350 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 200W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXTP3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,5Ohm bei 500mA, 10V

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50	€ 5,28160	€ 264,08
100	€ 4,87760	€ 487,76
500	€ 4,17074	€ 2 085,37
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