Name: IXTP12N65X2M
Brand: IXYS
SKU: IXTP12N65X2M-ND
Price: 2.42503 EUR
Availability: OutOfStock

IXTP12N65X2M
DigiKey-Teilenr.	IXTP12N65X2M-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP12N65X2M
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
Datenblatt	Datenblatt

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Ultra X2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	300mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1100 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	40W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220, isolierte Fahne
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 Full Pack, isolierte Fahne
Basis-Produktnummer	IXTP12

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,98773
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,42503

IXTP12N65X2M