Name: IXTP08N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP08N100D2-ND
Price: 3.8674 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP08N100D2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTP08N100D2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP08N100D2
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IXTP08N100D2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	800mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	21Ohm bei 400mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14.6 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	325 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXTP08

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50	€ 1,60280	€ 80,14
100	€ 1,45080	€ 145,08
500	€ 1,18444	€ 592,22
1 000	€ 1,09887	€ 1 098,87
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