N-Kanal 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP02N120P

DigiKey-Teilenr.
IXTP02N120P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP02N120P
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
75Ohm bei 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
4.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
104 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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