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IXTH52N65X ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Vom Hersteller empfohlen
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXTH52N65X | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTH52N65X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTH52N65X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 52A TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 52 A (Tc) 660W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IXTH52N65X Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 113 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4350 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 660W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 68mOhm bei 26A, 10V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH48N65X2 | IXYS | 450 | IXTH48N65X2-ND | € 11,34000 | Vom Hersteller empfohlen |
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| SIHG47N60E-E3 | Vishay Siliconix | 505 | SIHG47N60E-E3-ND | € 9,58000 | Ähnlich |
| STW56N65DM2 | STMicroelectronics | 913 | 497-16337-5-ND | € 11,33000 | Ähnlich |
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