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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXTA1R6N100D2HV | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXTA1R6N100D2HV-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTA1R6N100D2HV |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV |
Standardlieferzeit des Herstellers | 32 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 1,6 A (Tj) 100W (Tc) Oberflächenmontage TO-263HV |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 0V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 10Ohm bei 800mA, 0V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 100µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 27 nC @ 5 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 645 pF @ 10 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263HV | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 2 089
Bestand des Herstellers: 1 300
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 5,54000 | € 5,54 |
| 50 | € 2,94600 | € 147,30 |
| 100 | € 2,69570 | € 269,57 |
| 500 | € 2,25726 | € 1 128,63 |
| 1 000 | € 2,21045 | € 2 210,45 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 5,54000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 6,75880 |
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