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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXTA1N200P3HV | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTA1N200P3HV-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTA1N200P3HV |
Beschreibung | MOSFET N-CH 2000V 1A TO263 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IXTA1N200P3HV Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 2000 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 40Ohm bei 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 23.5 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 646 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263AA | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 2 250
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 9,02000 | € 9,02 |
| 50 | € 5,02960 | € 251,48 |
| 100 | € 4,64530 | € 464,53 |
| 500 | € 4,21254 | € 2 106,27 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 9,02000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 11,00440 |
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