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N-Kanal 55 V 110 A (Tc) 180W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
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IXTA110N055T2

DigiKey-Teilenr.
IXTA110N055T2-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXTA110N055T2
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 110 A (Tc) 180W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
TrenchT2™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
110 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,6mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3060 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXTA110
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