Name: IXSJ25N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ25N120R1-ND
Price: 14.3106 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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IXSJ25N120R1
DigiKey-Teilenr.	238-IXSJ25N120R1-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXSJ25N120R1
Beschreibung	1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 28 A (Tc) 75,3W (Tc) Durchkontaktierung ISO247-3L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	28 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	81mOhm bei 12A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,8V bei 5,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+21V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1435 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	75,3W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	ISO247-3L
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 11,73000	€ 11,73
30	€ 7,12467	€ 213,74
120	€ 6,11550	€ 733,86
510	€ 5,92716	€ 3 022,85

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