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N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 249W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
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N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 249W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
8PowerSFN

IXSH60N65L2KHV

DigiKey-Teilenr.
238-IXSH60N65L2KHV-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXSH60N65L2KHV
Beschreibung
650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 249W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
53mOhm bei 20A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 7,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
94.7 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 600 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
249W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4L
Gehäuse / Hülle
TO-247-4
Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge
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450€ 3,66007€ 1 647,03
900€ 3,51770€ 3 165,93
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