N-Kanal 600 V 85 A (Tc) Durchkontaktierung TO-264AA
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IXKK85N60C

DigiKey-Teilenr.
IXKK85N60C-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXKK85N60C
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 85A TO264A
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 85 A (Tc) Durchkontaktierung TO-264AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
85 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
36mOhm bei 55A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
650 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-264AA
Gehäuse / Hülle
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXKK85
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