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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


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Vorrätig: 964
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STMicroelectronics
Vorrätig: 0
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STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 6,44000
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Vorrätig: 2 011
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STMicroelectronics
Vorrätig: 403
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STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 2,87483
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Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 9,94000
Datenblatt
N-Kanal 600 V 47 A (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXKH47N60C

DigiKey-Teilenr.
IXKH47N60C-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXKH47N60C
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 47 A (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
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 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
70mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
650 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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