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N-Kanal 800 V 32 A (Tc) 830W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3
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IXFX32N80P

DigiKey-Teilenr.
IXFX32N80P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFX32N80P
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 32 A (Tc) 830W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 8mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
150 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8800 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
830W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PLUS247™-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
270mOhm bei 16A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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