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Infineon Technologies
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Datenblatt
TO-247-3 Variant
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IXFX170N20T

DigiKey-Teilenr.
IXFX170N20T-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFX170N20T
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 170 A (Tc) 1150W (Tc) Durchkontaktierung PLUS247™-3
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
11mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
19600 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PLUS247™-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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