Name: IXFK32N100Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFK32N100Q3-ND
Price: 55.5222 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1000 V 32 A (Tc) 1250W (Tc) Durchkontaktierung TO-264AA (IXFK)

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IXFK32N100Q3
DigiKey-Teilenr.	IXFK32N100Q3-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFK32N100Q3
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 32 A (Tc) 1250W (Tc) Durchkontaktierung TO-264AA (IXFK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 6,5V bei 8mA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 195 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Q3 Class	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9940 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1250W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-264AA (IXFK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 32 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-264-3, TO-264AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXFK32
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 320mOhm bei 16A, 10V

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