IXFH9N80Q ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 518
Stückpreis : € 4,19000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 1 808
Stückpreis : € 6,03000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 521
Stückpreis : € 5,42000
Datenblatt
N-Kanal 800 V 9 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 800 V 9 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
HiPerFET_TO-247-3

IXFH9N80Q

DigiKey-Teilenr.
IXFH9N80Q-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFH9N80Q
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 9 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 2,5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2200 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD (IXFH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,1Ohm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SPW11N80C3FKSA1Infineon Technologies518448-SPW11N80C3FKSA1-ND€ 4,19000Ähnlich
SPW17N80C3FKSA1Infineon Technologies1 808SPW17N80C3FKSA1-ND€ 6,03000Ähnlich
STW10NK80ZSTMicroelectronics521497-3254-5-ND€ 5,42000Ähnlich
Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.
Nicht stornierbar / keine Rückgabe