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IXFH60N60X

DigiKey-Teilenr.
IXFH60N60X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFH60N60X
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 60 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
55mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 8mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5800 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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