Name: IXFH32N100X
Brand: IXYS
SKU: IXFH32N100X-ND
Price: 29.0482 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1000 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247

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IXFH32N100X
DigiKey-Teilenr.	IXFH32N100X-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFH32N100X
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 32A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 6V bei 4mA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 130 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Ultra X	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4075 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 32 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXFH32
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 220mOhm bei 16A, 10V

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