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IXFB50N80Q2

DigiKey-Teilenr.
IXFB50N80Q2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFB50N80Q2
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 50 A (Tc) 1135W (Tc) Durchkontaktierung PLUS264™
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
160mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 8mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7200 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1135W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PLUS264™
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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