MOSFETs - Arrays 200V 33A 125W Durchkontaktierung ISOPLUS i4-PAC™
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MOSFETs - Arrays 200V 33A 125W Durchkontaktierung ISOPLUS i4-PAC™
ISOPLUS i4-PAC

FMM60-02TF

DigiKey-Teilenr.
FMM60-02TF-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
FMM60-02TF
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 200V 33A 125W Durchkontaktierung ISOPLUS i4-PAC™
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
IXYS
Serie
HiPerFET™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
33A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
90nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3700pF bei 25V
Leistung - Max.
125W
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
i4-Pac™-5
Gehäusetyp vom Lieferanten
ISOPLUS i4-PAC™
Basis-Produktnummer
FMM60
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Obsolet
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