N-Kanal 600 V 15 A (Tc) Durchkontaktierung ISOPLUS i4-PAC™
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 15 A (Tc) Durchkontaktierung ISOPLUS i4-PAC™
ISOPLUS i4-PAK

FDM15-06KC5

DigiKey-Teilenr.
FDM15-06KC5-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
FDM15-06KC5
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 15 A (Tc) Durchkontaktierung ISOPLUS i4-PAC™
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
15 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 790µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
ISOPLUS i4-PAC™
Gehäuse / Hülle
ISOPLUSi5-PAK™
Basis-Produktnummer
FDM15
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