SRAM - Synchron, SDR Speicher IC 9Mbit Parallel 200 MHz 3.1 ns 165-TFBGA (13x15)
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IS61NLP25636B-200B3LI

DigiKey-Teilenr.
IS61NLP25636B-200B3LI-ND
Hersteller
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller-Teilenummer
IS61NLP25636B-200B3LI
Beschreibung
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SRAM - Synchron, SDR Speicher IC 9Mbit Parallel 200 MHz 3.1 ns 165-TFBGA (13x15)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Speichertyp
Flüchtig
Speicherformat
SRAM
Technologie
SRAM - Synchron, SDR
Speichergröße
9Mbit
Speicherorganisation
256K x 36
Speicherschnittstelle
Parallel
Taktfrequenz
200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
3.1 ns
Spannung - Versorgung
3,135V bis 3,465V
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TA)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
165-TBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
165-TFBGA (13x15)
Basis-Produktnummer
IS61NLP25636
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