Name: SPP04N80C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP04N80C3XKSA1-ND
Price: 2.257 EUR
Availability: OutOfStock

SPP04N80C3XKSA1
DigiKey-Teilenr.	SPP04N80C3XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPP04N80C3XKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 4 A (Tc) 63W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SPP04N80C3XKSA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,3Ohm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,9V bei 240µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	570 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	63W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	SPP04N80

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,85000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,25700

SPP04N80C3XKSA1