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SPA11N60CFDXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SPA11N60CFDXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPA11N60CFDXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-31 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SPA11N60CFDXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 1,9mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 64 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1200 pF @ 25 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 33W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-31 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 440mOhm bei 7A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| R6009KNX | Rohm Semiconductor | 76 | R6009KNX-ND | € 2,48000 | Ähnlich |
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | 373 | R6011ENX-ND | € 3,66000 | Ähnlich |
| R6011KNX | Rohm Semiconductor | 325 | R6011KNX-ND | € 2,29000 | Ähnlich |
| SIHA12N60E-E3 | Vishay Siliconix | 814 | SIHA12N60E-E3-ND | € 2,95000 | Ähnlich |
| SIHF12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 197 | 742-SIHF12N60E-GE3-ND | € 3,20000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 500 | € 1,13282 | € 566,41 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,13282 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 1,38204 |





