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Verfügbare Ersatzkomponenten:
Direkter Ersatz
Ähnlich
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SI4435DYPBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SI4435DYPBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SI4435DYPBF |
Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 8A 8SO |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | P-Kanal 30 V 8 A (Tc) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SI4435DYPBF Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Bei DigiKey nicht mehr erhältlich | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4,5V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 20mOhm bei 8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 1V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 60 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2320 pF @ 15 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 2,5W (Ta) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-SO | |
Gehäuse / Hülle |
0 auf Lager
Italien