Name: ISG0614N06NM5HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND
Price: 5.3924 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISG0614N06NM5HATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISG0614N06NM5HATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISG0614N06NM5HATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISG0614N06NM5HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISG0614N06NM5HATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-VITFN-10-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISG0614N06NM5HATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,6mOhm bei 50A, 10V
Hersteller Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,3V bei 86µA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 102nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6400pF bei 30V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 3W (Ta), 167W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V	Gehäuse / Hülle 10-PowerVDFN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 31A (Ta), 233A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-VITFN-10-1