Name: ISCH69N04NM7VATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISCH69N04NM7VATMA1TR-ND
Price: 3.05 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISCH69N04NM7VATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISCH69N04NM7VATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISCH69N04NM7VATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISCH69N04NM7VATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISCH69N04NM7VATMA1
Beschreibung	ISCH69N04NM7VATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 48A (Ta), 357A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	48A (Ta), 357A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,65mOhm bei 50A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,15V bei 82µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5600 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN