Name: ISC079N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC079N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 4.6116 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISC079N15NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC079N15NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC079N15NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC079N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC079N15NM6ATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 12,8A (Ta), 95A (Tc) 3W (Ta), 165W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC079N15NM6ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12,8A (Ta), 95A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,4mOhm bei 36A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 77µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2900 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 165W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN