Name: ISC009N06LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC009N06LM5ATMA1TR-ND
Price: 6.0024 EUR
Availability: InStock

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ISC009N06LM5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC009N06LM5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC009N06LM5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC009N06LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC009N06LM5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 41A (Ta), 348A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC009N06LM5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 147µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 209 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 13000 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 214W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-8-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 41A (Ta), 348A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer ISC009N
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,9mOhm bei 50A, 10V