Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 2.4278 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLR3636TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRLR3636TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRLR3636TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLR3636TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 143W (Tc) Oberflächenmontage
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLR3636TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,8mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3779 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	143W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA (DPAK)
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IRLR3636