Name: IRLML5103TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLML5103PBFTR-ND
Price: 0.4758 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLML5103TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRLML5103PBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRLML5103PBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRLML5103PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLML5103TRPBF
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLML5103TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	760mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	600mOhm bei 600mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5.1 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	75 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	540mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	Micro3™/SOT-23
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	IRLML5103

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