Name: IRLL2705TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLL2705PBFTR-ND
Price: 1.1834 EUR
Availability: InStock

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IRLL2705TRPBF
cms-digikey-product-number	IRLL2705PBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRLL2705PBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRLL2705PBFDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IRLL2705TRPBF
cms-description	MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
cms-standard-lead-time	18 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 55 V 3,8 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	IRLL2705TRPBF Modelle

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40mOhm bei 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	870 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-223
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	IRLL2705

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 0,97000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,18340

IRLL2705TRPBF