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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRL6372PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRL6372PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRL6372PBF |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 8,1A 2W Oberflächenmontage 8-SO |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Bei DigiKey nicht mehr erhältlich | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (zweifach) | |
FET-Merkmal | Logikpegel-Gate | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 8,1A | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 17,9mOhm bei 8,1A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 1,1V bei 10µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 11nC bei 4,5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1020pF bei 25V | |
Leistung - Max. | 2W | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-SO | |
Basis-Produktnummer |
0 auf Lager
Italien