Name: IRL2910STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL2910STRLPBFTR-ND
Price: 3.8308 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRL2910STRLPBF
DigiKey-Teilenr.	IRL2910STRLPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRL2910STRLPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRL2910STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRL2910STRLPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 55 A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	55 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	26mOhm bei 29A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	140 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3700 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IRL2910