Name: IRFS4229TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4229TRLPBFTR-ND
Price: 4.5994 EUR
Availability: InStock

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IRFS4229TRLPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFS4229TRLPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRFS4229TRLPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRFS4229TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFS4229TRLPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 45 A (Tc) 330W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFS4229TRLPBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	45 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	48mOhm bei 26A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4560 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	330W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IRFS4229

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
800	€ 1,33704	€ 1 069,63
1 600	€ 1,31930	€ 2 110,88

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 3,77000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 4,59940

IRFS4229TRLPBF