Name: IRFP4768PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFP4768PBFXKMA1-ND
Price: 5.6852 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFP4768PBFXKMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IRFP4768PBFXKMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFP4768PBFXKMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 93 A (Tc) 520W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-901
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	93 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17,5mOhm bei 56A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	270 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10880 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	520W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-3-901
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 4,66000	€ 4,66
25	€ 2,69680	€ 67,42
100	€ 2,22860	€ 222,86
500	€ 1,85394	€ 926,97
1 000	€ 1,82284	€ 1 822,84

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