Name: IRFH6200TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH6200TRPBFTR-ND
Price: 2.5864 EUR
Availability: InStock

IRFH6200TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFH6200TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRFH6200TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRFH6200TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFH6200TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 49 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFH6200TRPBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	49 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,95mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,1V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	230 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10890 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,6W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	IRFH6200

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,12000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,58640

IRFH6200TRPBF