Name: IRFB7730PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB7730PBF-ND
Price: 4.8312 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 75 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB7730PBF
DigiKey-Teilenr.	IRFB7730PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFB7730PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 75 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFB7730PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,7V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 407 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 13660 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 195 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IRFB7730
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,6mOhm bei 100A, 10V

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 3,96000	€ 3,96
50	€ 2,00280	€ 100,14
100	€ 1,81340	€ 181,34
500	€ 1,48144	€ 740,72
1 000	€ 1,37480	€ 1 374,80
2 000	€ 1,28516	€ 2 570,32
5 000	€ 1,18825	€ 5 941,25

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