Name: IRF8010PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8010PBF-ND
Price: 3.1842 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 260W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF8010PBF
DigiKey-Teilenr.	IRF8010PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF8010PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 260W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF8010PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 120 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3830 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 260W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 80 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF8010
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 15mOhm bei 45A, 10V

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 2,61000	€ 2,61
50	€ 1,29320	€ 64,66
100	€ 1,16510	€ 116,51
500	€ 0,94060	€ 470,30
1 000	€ 0,86844	€ 868,44
2 000	€ 0,80778	€ 1 615,56
5 000	€ 0,74218	€ 3 710,90
10 000	€ 0,73336	€ 7 333,60

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