Name: IRF7416TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7416TRPBFTR-ND
Price: 1.586 EUR
Availability: InStock

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IRF7416TRPBF
cms-digikey-product-number	IRF7416TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF7416TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF7416TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IRF7416TRPBF
cms-description	MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
cms-standard-lead-time	26 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	P-Kanal 30 V 10 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	IRF7416TRPBF Modelle

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20mOhm bei 5,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1700 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	IRF7416