Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 1.6592 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF7341TRPBFXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7341TRPBFXTMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 55V 4,7 A (Tc) 2W (Tc) Oberflächenmontage PG-DSO-8-902
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF7341TRPBFXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50mOhm bei 4,7A, 10V
Hersteller Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Serie HEXFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 36nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 740pF bei 25V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 2W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-DSO-8-902
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,7 A (Tc)