N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF640NPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF640NPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF640NPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF640NPBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1160 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 30 300
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Für neue Designs nicht empfohlen, Mindestbestellmengen eventuell erforderlich. Ersatzartikel anzeigen.
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 1,64000€ 1,64
50€ 0,78340€ 39,17
100€ 0,69930€ 69,93
500€ 0,55188€ 275,94
1 000€ 0,50445€ 504,45
2 000€ 0,46455€ 929,10
5 000€ 0,43101€ 2 155,05
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:€ 1,64000
Stückpreis mit MwSt.:€ 2,00080