Name: IRF5802TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5802TRPBFTR-ND
Price: 0.7198 EUR
Availability: InStock

IRF5802TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF5802TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF5802TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF5802TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF5802TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage Micro6™(TSOP-6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF5802TRPBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	900mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2Ohm bei 540mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	88 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	Micro6™(TSOP-6)
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	IRF5802

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 0,59000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 0,71980

IRF5802TRPBF